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       在低壓配電網(wǎng)絡(luò)中，運(yùn)行著大量的感性無(wú)功負(fù)荷需要進(jìn)行補(bǔ)償，否則，將使網(wǎng)絡(luò)損耗增加，電壓質(zhì)量惡化。為了提高供用電質(zhì)量，降低線(xiàn)損與節(jié)能，以及充分利用設(shè)備的容量，以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件，接觸器為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補(bǔ)償裝置得到廣泛的應(yīng)用。這些裝置一般是將電容器分為若干組。根據(jù)控制物理量的變化，進(jìn)行電容器的投切。但是，若無(wú)功負(fù)荷經(jīng)常波動(dòng)變化，而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時(shí)，電容器的投切，往往就比較頻繁，從而可能給電容器造成危害，使其早期損壞。

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三點(diǎn)建議
       1、以接觸器為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補(bǔ)償裝置，不宜頻繁進(jìn)行電容器的投切。否則， 投切時(shí)所產(chǎn)生的過(guò)電壓和沖擊電流將對(duì)自愈式電容器造成危害，使容量下降，tgδ增大 及絕緣老化加速等，最終使電容器早期損壞。
       2、建議適當(dāng)延長(zhǎng)投切時(shí)間間隔，實(shí)行循環(huán)投切，減少投切次數(shù)，使這滿(mǎn)足GB/12747-1991的有關(guān)要求。
       3、為限制沖擊電流對(duì)噴金層與金屬化層接觸質(zhì)量的損害，必須采取相應(yīng)的技術(shù)措施，如串入小電感或采用專(zhuān)用接觸器等，建議將沖擊電流的峰值限制在20In以?xún)?nèi)。

       希拓電氣晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。